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    • 专利摘要:
    一種具有支撐體的封裝基板之製法，係於一支撐結構之相對兩側形成複數電性接觸墊與置晶墊，再將該支撐結構分離成兩支撐體，以形成兩具有該支撐體的封裝基板，使一次製程可製造出兩批封裝基板供後續封裝製程使用，故可提升生產效率，以降低製作成本。本發明復提供該具有支撐體的封裝基板。
    公开号:TW201324712A
    申请号:TW100144800
    申请日:2011-12-06
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Wen-Hsin Huang；Tzu-Chieh Shen；Chiao-Lei Fan
    申请人:Unimicron Technology Corp；
    IPC主号:H01L2224-00
    专利说明:
    具有支撐體的封裝基板及其製法
    　　本發明係有關一種封裝基板，尤指一種用於QFN封裝結構的封裝基板及其製法。
    　　傳統以導線架（lead frame）作為晶片承載件之半導體封件之型態及種類繁多，如習知四邊形平面封裝結構(Quad Flat package, QFP)，而隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢，且亦同時邁向微型化（miniaturization）的發展。因此，遂發展出了一種新的四邊扁平無導腳(Quad Flat Non-leaded, QFN)封裝結構，以縮小封裝結構之尺寸。
    　　請參閱第1A至1F圖，係為習知QFN封裝結構1之製法之剖面示意圖。
    　　如第1A圖所示，於一載板10上形成銅層11。
    　　如第1B圖所示，於該銅層11上經圖案化微蝕以形成複數電性接觸墊12與置晶墊13。
    　　如第1C圖所示，於該些電性接觸墊12與置晶墊13上形成表面處理層14。
    　　如第1D圖所示，移除該些電性接觸墊12與置晶墊13周圍多餘之銅層11，以形成封裝基板1a。
    　　如第1E圖所示，係於該置晶墊13上承載晶片17並藉由焊線170電性連接該些電性接觸墊12，再形成封裝膠體18於該載板10上，以包覆該些電性接觸墊12、置晶墊13、晶片17與焊線170。
    　　如第1F圖所示，移除該載板10，以外露出該些電性接觸墊12之底部與置晶墊13之底部。
    　　惟，習知QFN封裝結構1之製法，僅能於該載板10之其中一側上形成該些電性接觸墊12與置晶墊13，故一次製程僅能製造出一批封裝基板1a，供封裝製程使用，導致生產效率不佳，而難以降低製作成本。
    　　因此，如何克服上述習知技術之種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
    　　鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明係揭露一種具有支撐體的封裝基板之製法，係包括：將兩銅箔基板片以其銅層相互疊置；於該兩銅箔基板片上結合強化板體以形成支撐結構；於該強化板體上形成複數電性接觸墊；以及沿該兩銅箔基板片之側邊進行切割，令該兩銅箔基板片相互疊置之銅層分開，使該支撐結構分離成兩支撐體，俾得到兩具有該支撐體的封裝基板。
    　　本發明復提供一種具有支撐體的封裝基板，係包括：銅箔基板片、結合於該銅箔基板片上以形成支撐體之強化板體、以及形成於該強化板體上之複數電性接觸墊。
    　　前述之具有支撐體的封裝基板及其製法中，該第一金屬剝離層係以物理方式結合該第二金屬剝離層。
    　　前述之具有支撐體的封裝基板及其製法，可包括於該電性接觸墊上形成表面處理層。
    　　另外，前述之具有支撐體的封裝基板及其製法，可包括當形成該些電性接觸墊時，一併於該第二金屬剝離層上形成置晶墊。或者，於該第二金屬剝離層與電性接觸墊上形成增層結構，令該增層結構之最外層形成置晶墊。
    　　由上可知，本發明之具有支撐體的封裝基板及其製法，係藉由在該兩銅箔基板片上結合強化板體以形成支撐結構，故可於該支撐結構兩側製作該置晶墊與電性接觸墊，以形成兩具有該支撐體的封裝基板，故一次製程可製造出兩批封裝基板，供封裝製程使用。因此，相較於習知技術之產能，本發明之製法可提升生產效率，以降低製作成本。
    　　以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
    　　須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“下”、“側邊”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
    　　請參閱第2A至2D圖，係為本發明之具有支撐體2c的封裝基板2之製法之剖視示意圖。
    　　如第2A圖所示，首先，提供兩銅箔基板片（Copper clad laminate, CCL）20與兩強化板體21，各該銅箔基板片20係具有絕緣層200及設於該絕緣層200相對兩側之銅層201,202，該兩銅箔基板片20以其中一銅層201相互疊置，且各該強化板體21具有介電層210、設於該介電層210上之第一金屬剝離層211、及設於該第一金屬剝離層211上之第二金屬剝離層212。接著，於該兩銅箔基板片20上分別壓合該強化板體21之介電層210，令該兩介電層210合為一體以包覆該兩銅箔基板片20，而固定該兩銅箔基板片20，俾形成支撐結構2b。
    　　於本實施例中，該絕緣層200之材質可例如為雙順丁烯二酸醯亞胺/三氮阱（Bismaleimide triazine，簡稱BT）。然而，有關銅箔基板片20之種類繁多，且為業界所熟知，故不再贅述。
    　　再者，該介電層210之材質可例如為預浸材（prepreg，簡稱PP），且該介電層210之厚度可例如為100μm，而該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212係為銅材，並且兩者之厚度可為18μm及3μm。
    　　又，該第一金屬剝離層211係以物理方式結合該第二金屬剝離層212，且該物理方式係為卡合、靜電、吸附、或黏著物等，亦即該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212之間並無需藉蝕刻分離。
    　　如第2B圖所示，經圖案化製程，於該第二金屬剝離層212上形成複數電性接觸墊22與置晶墊23。
    　　然而，有關圖案化製程之方法繁多，如蝕刻、電鍍等，且為業界所熟知，故不再贅述。
    　　如第2C圖所示，於該些電性接觸墊22上形成表面處理層24。於本實施例中，形成該表面處理層24之材質係為鎳/金(Ni/Au)、鎳鈀金(Ni/Pd/Au)或金等選擇，且其形成方式可為化鍍或電鍍等方式，若以化鍍方式形成，則該表面處理層24之材質係為化鎳/金(Ni/Au)、化鎳鈀金(Electroless Nickel/Electroless Palladium/Immersion Gold, ENEPIG)或直接浸金(Direct Immersion Gold, DIG)。或者，併用化鍍與電鍍方式，即以該第二金屬剝離層212為導電途徑，形成例如電鍍鎳/化鍍鈀/電鍍金的該表面處理層24。
    　　如第2C’及2C”圖所示，亦可先不形成置晶墊23，而先於該第二金屬剝離層212與電性接觸墊22上形成增層結構25，再形成該表面處理層24。
    　　其中，該增層結構25係包含至少一增層介電層250、設於各該增層介電層250上之線路層251、及設於各該增層介電層250中之導電盲孔252，該導電盲孔252係電性連接該線路層251與電性接觸墊22，且最外層之線路層251具有置晶墊253與複數電性連接墊254，以於該些電性連接墊254上形成表面處理層24。
    　　再者，該增層結構25係可為一層（如第2C’圖所示）或多層（如第2C”圖所示之三層）。
    　　又，本發明封裝基板係用於QFN封裝結構中，故不需於第2C圖之第二金屬剝離層212、或第2C’與2C”圖之增層結構25上形成絕緣保護層。
    　　如第2D及2D’圖所示，沿該兩銅箔基板片20之側邊進行切割，如第2C及2C’圖所示之切割線L，令該兩銅箔基板片20相互疊置之銅層201自動分開，使該支撐結構2b分離成兩支撐體2c，以分離出上、下側之具有該支撐體2c的封裝基板2,2’。
    　　本發明之具有支撐體2c的封裝基板2,2’之製法，主要藉由在該兩銅箔基板片20上結合強化板體21以形成支撐結構2b，故可於該支撐結構2b上、下兩側同時製作該置晶墊23與電性接觸墊22，再將該支撐結構2b分離成兩支撐體2c，以形成兩具有該支撐體2c的封裝基板2,2’。因此，一次製程可製造出兩批封裝基板2,2’，供後續封裝製程使用。
    　　本發明復提供一種具有支撐體2c的封裝基板2，係包括：於相對兩側具有銅層201,202之銅箔基板片20、設於該銅箔基板片20之其中一銅層202上之強化板體21、以及形成於該強化板體21上之複數電性接觸墊22。
    　　所述之支撐體2c係包含該銅箔基板片20與該強化板體21。
    　　所述之銅箔基板片20復包含絕緣層200，且該銅層201,202係設於該絕緣層200相對兩側。然而，銅箔基板片之種類繁多，並無特別限制。
    　　所述之強化板體21具有結合該銅層202之介電層210、設於該介電層210上之第一金屬剝離層211、及設於該第一金屬剝離層211上之第二金屬剝離層212；於本實施例中，該第一金屬剝離層211係以物理方式結合該第二金屬剝離層212。
    　　所述之電性接觸墊22係設於該第二金屬剝離層212上，且於該些電性接觸墊22上形成有表面處理層24。
    　　所述之封裝基板2復包括設於該第二金屬剝離層212上之置晶墊23。
    　　於另一實施例中，該封裝基板2’亦可包括形成於該第二金屬剝離層212與電性接觸墊22上之增層結構25。
    　　所述之增層結構25係包含至少一增層介電層250、設於各該增層介電層250上之線路層251、及設於各該增層介電層250中之導電盲孔252，該導電盲孔252係電性連接該線路層251與電性接觸墊22，且最外層之線路層251具有置晶墊253與複數電性連接墊254，且於該些電性連接墊254上形成有表面處理層24。
    　　請參閱第3A至3D圖，係為應用本發明之具有支撐體2c的封裝基板2之後續封裝製程之剖視示意圖。於本實施例中，係以第2D圖之封裝基板2進行封裝，該封裝基板2係具有複數封裝單元2a，如第3C圖所示。
    　　如第3A圖所示，接續第2D圖之製程，進行封裝製程，係於該置晶墊23上設置晶片27，且令該些電性接觸墊22藉由焊線270電性連接該晶片27；接著，於該支撐體2c之強化板體21上形成封裝膠體28，以包覆該電性接觸墊22、置晶墊23、晶片27與焊線270。
    　　如第3B圖所示，分離該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212，以移除該銅箔基板片20、該介電層210與第一金屬剝離層211，而外露出該第二金屬剝離層212。
    　　於本實施例中，因該第一金屬剝離層211係以物理方式結合該第二金屬剝離層212，故分離該第一金屬剝離層211與第二金屬剝離層212時，僅需以如剝離之物理方式進行分離。
    　　如第3C圖所示，藉由蝕刻方式移除該第二金屬剝離層212，且一併微蝕刻該些電性接觸墊22之部分底部與置晶墊23之部分底部，以外露出該些電性接觸墊22’底部與置晶墊23’底部。
    　　如第3D圖所示，沿各該封裝單元2a進行切割，如第3C圖所示之切割線S，以取得複數個封裝結構3，且於該電性接觸墊22’底部上結合焊球29。
    　　請參閱第4圖，係為應用本發明之具有支撐體2c的封裝基板2’之後續封裝製程之剖視示意圖。於本實施例中，係以第2D’圖之封裝基板2’進行封裝，且封裝製程之詳細步驟可參考第3A至3D圖。
    　　如第4圖所示，係於該增層結構25之置晶墊253上設置晶片27，且令該些電性連接墊254藉由焊線270電性連接該晶片27；接著，形成封裝膠體28，以包覆該電性連接墊254、置晶墊253、晶片27與焊線270。
    　　最後，移除該銅箔基板片20與強化板體21，再進行切割與植設焊球29，以取得複數個封裝結構3’。
    　　綜上所述，本發明之具有支撐體的封裝基板及其製法，主要藉由在該支撐結構上、下兩側製作該置晶墊與電性接觸墊，再將該支撐結構分離成兩支撐體，以形成兩具有該支撐體的封裝基板，故一次製程可製造出兩批封裝基板，以提升生產效率，而有效降低製作成本。
    　　上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
    1,3,3’．．．封裝結構
    1a,2,2’．．．封裝基板
    10．．．載板
    11,201,202．．．銅層
    12,22,22’．．．電性接觸墊
    13,23,23’,253．．．置晶墊
    14,24．．．表面處理層
    17,27．．．晶片
    170,270．．．焊線
    18,28．．．封裝膠體
    2a．．．封裝單元
    2b．．．支撐結構
    2c．．．支撐體
    20．．．銅箔基板片
    200．．．絕緣層
    21．．．強化板體
    210．．．介電層
    211．．．第一金屬剝離層
    212．．．第二金屬剝離層
    25．．．增層結構
    250．．．增層介電層
    251．．．線路層
    252．．．導電盲孔
    254．．．電性連接墊
    29．．．焊球
    L,S．．．切割線
    　　第1A至1F圖係為習知QFN封裝結構之製法的剖視示意圖；
    　　第2A至2D圖係為本發明之具有支撐體的封裝基板之製法的剖視示意圖；其中，第2C’至2D’圖係為第2C至2D圖之另一實施例，第2C”圖係為第2C’圖之另一實施例；
    　　第3A至3D圖係為應用本發明之具有支撐體的封裝基板之後續製法的剖視示意圖；以及
    　　第4圖係為應用本發明之具有支撐體的封裝基板之後續製法之另一實施例的剖視示意圖。
    2．．．封裝基板
    2c．．．支撐體
    20．．．銅箔基板片
    200．．．絕緣層
    201,202．．．銅層
    21．．．強化板體
    210．．．介電層
    211．．．第一金屬剝離層
    212．．．第二金屬剝離層
    22．．．電性接觸墊
    23．．．置晶墊
    24．．．表面處理層
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種具有支撐體的封裝基板，係包括：　　銅箔基板片，係包含絕緣層及設於該絕緣層相對兩側之銅層；　　強化板體，結合於該銅箔基板片之其中一銅層上以由該強化板體與該銅箔基板片形成該支撐體，該強化板體具有依序設於該其中一銅層上之介電層、第一金屬剝離層、及第二金屬剝離層；以及　　電性接觸墊，係形成於該第二金屬剝離層上。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之具有支撐體的封裝基板，復包括形成於該電性接觸墊上之表面處理層。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之具有支撐體的封裝基板，復包括形成於該第二金屬剝離層上之置晶墊。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之具有支撐體的封裝基板，復包括形成於該第二金屬剝離層與電性接觸墊上之增層結構，該增層結構係包含至少一增層介電層、設於各該增層介電層上之線路層、及設於各該增層介電層中之導電盲孔，該導電盲孔係電性連接該線路層與該電性接觸墊，且最外層之線路層具有置晶墊與複數電性連接墊。
    [5] 一種具有支撐體的封裝基板之製法，係包括：　　提供兩銅箔基板片，各該銅箔基板片係具有絕緣層及設於該絕緣層相對兩側之銅層，且該兩銅箔基板片以其銅層相互疊置；　　於該兩銅箔基板片上結合強化板體以形成支撐結構，該強化板體具有包覆該兩銅箔基板片以固定該兩銅箔基板片之介電層、設於該介電層上之第一金屬剝離層、及設於該第一金屬剝離層上之第二金屬剝離層；　　於該第二金屬剝離層上形成複數電性接觸墊；以及　　沿該兩銅箔基板片之側邊進行切割，令該兩銅箔基板片相互疊置之銅層分開，使該支撐結構分離成兩支撐體，俾得到兩具有該支撐體的封裝基板。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之具有支撐體的封裝基板之製法，其中，該第一金屬剝離層係以物理方式結合該第二金屬剝離層。
    [7] 如申請專利範圍第5項所述之具有支撐體的封裝結構之製法，其中，該封裝基板係具有複數封裝單元，以用於切單製程。
    [8] 如申請專利範圍第5項所述之具有支撐體的封裝基板之製法，復包括於該些電性接觸墊上形成表面處理層。
    [9] 如申請專利範圍第5項所述之具有支撐體的封裝基板之製法，復包括當形成該些電性接觸墊時，一併於該第二金屬剝離層上形成置晶墊。
    [10] 如申請專利範圍第5項所述之具有支撐體的封裝基板之製法，復包括進行切割前，先於該第二金屬剝離層與電性接觸墊上形成增層結構，該增層結構係包含至少一增層介電層、設於各該增層介電層上之線路層、及設於各該增層介電層中之導電盲孔，該導電盲孔係電性連接該線路層與該電性接觸墊，且最外層之線路層具有置晶墊與複數電性連接墊。
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